低基片温升的优点。

功率调节策略：如前文所述，我们在实验中采取了分阶段功率提升的策略以确保过程稳定。具体做法是：先在1 W点火后，将功率设定在5–10 W范围内维持一段时间。这一阶段主要用于等离子体预稳定和靶材表面清洁——低功率下出气和溅射杂质较轻，可以慢慢清理靶面。同时观察真空度变化，确认无剧烈波动后，再逐步将功率提高到20 W以上进入正常沉积。每次调高功率幅度不宜过大，并停留观察等离子体是否稳定。650MH的电源控制非常灵敏且稳定，从1 W平滑调节到几十瓦过程中电流、电压均没有明显的冲击或过冲现象，等离子体呈均匀辉光，未出现熄灭或放电不均。这说明设备的射频电源和直流恒流源设计成熟，输出稳定性高。此外，该设备支持触摸屏程序控制和联动，用户可预先设定功率梯度或膜厚目标——这在更复杂的工艺中将十分有用。

值得一提的是，650MH的真空获得系统反应迅速，当靶材出气导致腔压升高时，真空泵组立即工作将气体排出以恢复设定压力。这种压力反馈调控与功率调节相配合，使我们能够在不同真空度和功率组合下探索工艺窗口。本次测试就尝试了不同氩气压强条件：从3–5 Pa（偏低真空，即较高压）到0.5–1.2 Pa（高真空）之间来回调整，结果表明在≈1 Pa高真空下溅射过程最为稳定。这再次体现了高真空稳定性对工艺的积极影响，也是650MH设备名称中“高真空”的实力体现：其极限真空可达10^−5 Pa量级，且抽真空速度很快——约10分钟即可从大气抽至9×10^−4 Pa。高真空意味着杂质气体和靶材挥发物含量更低，等离子体更加纯净可控，从而镀膜速率和膜质也更容易控制。综合来看，VPI的SD-650MH通过优秀的冷却设计和智能的功率/真空调控策略，将溅射过程的热效应和不稳定因素降至最低，为敏感材料的镀膜提供了可靠保障。

样品制备的操作经验分享

一台性能优良的镀膜仪不仅要“硬件过硬”，还应当在实际使用中给科研人员提供便利、安全的操作体验。从用户角度也检验了650MH系列设备的人性化设计和操作简易性，以下结合实验步骤具体分享。

快速启动与准备：抽真空启动迅速。实验开始时，我们将样品和靶材安装完毕后，按下抽真空按钮，粗抽和分子泵依次启动。在不到10分钟内，腔体真空度就达到了约9×10^−4 Pa（已经接近工作所需的高真空），整个过程几乎无需过多干预。这对需要频繁制备样品的实验室来说非常高效。此外，真空腔体带有多个标准接口。这一设计方便我们